LN8364 是⼀款内置⾼边和低边N 沟道MOSFET 的驱动芯⽚,可⽤于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8364 内部集成⽋压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态,⽤以提⾼转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断⾼边和低边N 沟道MOSFET。LN8364 内建死区⾃适应功能,可以适应更多应⽤条件,同时简化设计的繁琐。
电源电压⼯作范围为4V~15V
内置⾃举⼆极管
固定死区时间
内置30V N 沟道MOSFET
兼容3.3V/5V/15V 输⼊信号
内建死区⾃适应功能防⽌MOSFET 交叉导通
VCC ⽋压锁死功能
绿⾊环保⽆⻧,满⾜ROHS 标准
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电⼦烟、⽆线充MOSFET 驱动器
封装
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