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华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功

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香港, 2017年12月27日 - (亚太商讯) - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司 (“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”,股份代号:1347.HK) 今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。

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