产品详情

       LN8362 是一款可驱动高端和低端N 沟道MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8362 内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL 的输出。LN8362 内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。LN8362 采用SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。

产品特性

电源VCC 工作范围：4V~15V

SW 最高电压：60V

内置自举二极管

固定死区时间

兼容3.3V/5V/15V 输入信号

UVLO 时EN 端输出低电平

内建死区自适应功能来防止FET 交叉导通

EN 端可同时关断上下两个MOSFET

VCC，BST 欠压保护功能

绿色环保无卤，满足ROHS 标准

应用领域

半桥/全桥转换器

同步降压、升降压拓扑

电子烟、无线充MOSFET 驱动器