产品指数
品牌= 上海南麟
工作电压= 4.0-15V
耐压= 30V
逻辑= PWM
分辨率=
BW @-3dB=
复位电压=
最大充电电流=
输出电流=
控制模式=
振荡频率=
反馈电压=
静态功耗=
纹波抑制比=
封装形式= DFN5*6-8L
功能简介= 30V 半桥栅极驱动器
类型=
Vds(V)=
ID(A)=
VGS(±V)=
Rdson@10V Typ=
Rdson@4.5V Tpy=
Rdson@2.5V Typ=

产品详情
LN8364 是⼀款内置⾼边和低边N 沟道MOSFET 的驱动芯⽚,可⽤于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8364 内部集成⽋压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态,⽤以提⾼转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断⾼边和低边N 沟道MOSFET。LN8364 内建死区⾃适应功能,可以适应更多应⽤条件,同时简化设计的繁琐。
产品特性
电源电压⼯作范围为4V~15V
内置⾃举⼆极管
固定死区时间
内置30V N 沟道MOSFET
兼容3.3V/5V/15V 输⼊信号
内建死区⾃适应功能防⽌MOSFET 交叉导通
VCC ⽋压锁死功能
绿⾊环保⽆⻧,满⾜ROHS 标准
应用领域
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电⼦烟、⽆线充MOSFET 驱动器
封装
PDFN5*6-8L-B
产品技术资料
LN8364