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LN8364 Series
产品指数 品牌= 上海南麟 工作电压= 4.0-15V 耐压= 30V 逻辑= PWM 分辨率= BW @-3dB= 复位电压= 最大充电电流= 输出电流= 控制模式= 振荡频率= 反馈电压= 静态功耗= 纹波抑制比= 封装形式= DFN5*6-8L 功能简介= 30V 半桥栅极驱动器 类型= Vds(V)= ID(A)= VGS(±V)= Rdson@10V Typ= Rdson@4.5V Tpy= Rdson@2.5V Typ=
产品详情

       LN8364 是⼀款内置⾼边和低边N 沟道MOSFET 的驱动芯⽚,可⽤于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8364 内部集成⽋压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态,⽤以提⾼转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断⾼边和低边N 沟道MOSFET。LN8364 内建死区⾃适应功能,可以适应更多应⽤条件,同时简化设计的繁琐。


产品特性

电源电压⼯作范围为4V~15V

内置⾃举⼆极管

固定死区时间

内置30V N 沟道MOSFET

兼容3.3V/5V/15V 输⼊信号

内建死区⾃适应功能防⽌MOSFET 交叉导通

VCC ⽋压锁死功能

绿⾊环保⽆⻧,满⾜ROHS 标准


应用领域

半桥/全桥转换器

同步降压、升降压拓扑

电⼦烟、⽆线充MOSFET 驱动器


封装

PDFN5*6-8L-B

产品技术资料 LN8364

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